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本文介绍了在无锡微电子科研中心二室工艺线上开发的3.0umBiCMOS数模电路工艺所考虑的主要因素,以及该工艺流程所用的器件结构、PCM参数,介绍了开发的各个阶段情况,以及为开发此工艺在工艺模拟方面所做的工作.
3.0um BiCMOS数模电路工艺开发
【摘 要】
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本文介绍了在无锡微电子科研中心二室工艺线上开发的3.0umBiCMOS数模电路工艺所考虑的主要因素,以及该工艺流程所用的器件结构、PCM参数,介绍了开发的各个阶段情况,以及为开
【机 构】
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无锡微电子科研中心,214035
【出 处】
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中国电子学会第八届青年学术年会暨中国电子学会青年工作委员会成立十周年学术研讨会
【发表日期】
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2002年期
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