【摘 要】
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本文应用透射电镜会聚束电子衍射(CBED)明场盘中的HOLZ线及计算机模拟,分别对含C涂层的SiCf/Ti-6Al-4V复合材料、无C涂层的SiCf/Ti-6Al-4V复合材料以及900℃/50h热暴露的SiCf
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本文应用透射电镜会聚束电子衍射(CBED)明场盘中的HOLZ线及计算机模拟,分别对含C涂层的SiCf/Ti-6Al-4V复合材料、无C涂层的SiCf/Ti-6Al-4V复合材料以及900℃/50h热暴露的SiCf/Ti-6Al-4V复合材料界面附近基体中α相晶格常数进行测定,继而研究复合材料界面附近的残余热应变.结果显示:制备态有C涂层的复合材料基体在晶格常数的三个方向上,正应变随距界面反应层距离的增加而减小;制备态无C涂层的复合材料在晶格常数a和b方向上的应变总体上大于晶格常数c方向上的应变,且存在拉应变向压应变的转变.而c方向上均为压应变;热处理的复合材料基体在晶格常数a和b方向上,靠近界面处其应变接近于零,随着距界面层距离的增加,负应变增加.而在c方向上,随距离的增加,正应变减小,在远离界面处接近于零.
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