【摘 要】
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本文用溶胶凝胶法制备了一系列不同掺杂浓度的Y3Al5O12：Tb3+,Ce3+荧光粉,并表征了样品的X射线衍射,激发,发射及吸收光谱.273nm为Tb3+的本征激发,通过分析273nm激发不同浓度Tb3+掺杂YAG： Ce3+的发射光谱,发现位于467nm的峰对应着YAG基质中O2-离子到中心金属离子的电荷迁移带,而位于520nm较高的峰,对应着Ce3+离子2D3/2,5/2→F5/2,7/2的跃
【机 构】
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重庆邮电大学光电工程学院 重庆 400065 重庆邮电大学数理学院 重庆 400065
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本文用溶胶凝胶法制备了一系列不同掺杂浓度的Y3Al5O12：Tb3+,Ce3+荧光粉,并表征了样品的X射线衍射,激发,发射及吸收光谱.273nm为Tb3+的本征激发,通过分析273nm激发不同浓度Tb3+掺杂YAG： Ce3+的发射光谱,发现位于467nm的峰对应着YAG基质中O2-离子到中心金属离子的电荷迁移带,而位于520nm较高的峰,对应着Ce3+离子2D3/2,5/2→F5/2,7/2的跃迁,这说明可能存在Tb3+到Ce3+的单向非辐射能量传递.通过监测共掺样品520nm的发光,得到346nm左右及467nm左右的宽激发峰,与YAG：Ce3+一致,这说明520nm为Ce3+离子的发光.光谱中273nm的激发峰的存在使得Tb3+ (5D3)到Ce3+ (2Di,i=5/2,3/2)的单向非辐射能量传递得到验证,并且随着掺杂Tb3+浓度的增加,273nm激发峰增强.Jung等报道了Ce3+对YAG：Tb3+的掺杂使YAG基质中晶格缺陷增加,导致270nm左右处YAG基质的缺陷吸收明显增强并有效地传递至Tb3+离子,从而使Tb3+离子发光增强并得到宽带发射.本文用溶胶凝胶法合成了不同浓度的YAG：Tb3+及Ce3+掺杂YAG：Tb3+的样品,与Jung等报道的不同,Ce3+掺杂YAG：Tb3+并没有使Tb3+离子发光增强,相反YAG：Tb3+,Ce3+中Tb3+离子发光与YAG：Tb3+相比有1个数量级的减弱.造成这种情况的可能原因,一是前面已经证明的Tb3+到Ce3+的单向非辐射能量传递,使得Tb3+发光减弱,二是Ce3+掺杂YAG：Tb3+,基质所多吸收的能量是传给了Ce3+而非Tb3+.
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