【摘 要】
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本文成功获得了GaInP/GaAs/GaInAs倒装三结太阳电池外延片，并通过倒装芯片工艺制成2.09x2.09mm2的电池芯片。该倒装聚光三结太阳电池在500～2800倍的光照强度下，电池转换效率仍大于44％，在1484倍时，效率达到最大值44.9%，在千倍聚光下，转化效率大于43%的芯片数量达87.1%，有望在大规模量产后进一步降低成本，在地面光伏电站中得到广泛应用。
【机 构】
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天津三安光电有限公司,300384;厦门市三安光电科技有限公司,361005 天津三安光电有限公司
【出 处】
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2015中国光伏大会暨第十五届中国光伏学术年会
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本文成功获得了GaInP/GaAs/GaInAs倒装三结太阳电池外延片，并通过倒装芯片工艺制成2.09x2.09mm2的电池芯片。该倒装聚光三结太阳电池在500～2800倍的光照强度下，电池转换效率仍大于44％，在1484倍时，效率达到最大值44.9%，在千倍聚光下，转化效率大于43%的芯片数量达87.1%，有望在大规模量产后进一步降低成本，在地面光伏电站中得到广泛应用。
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