【摘 要】
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ZnO基半导体优越的光电性能使之成为发展紫外半导体光电器件的优选材料,但目前ZnO薄膜中高质量p型掺杂实现的困难使其光电器件的应用步履维艰,进展缓慢。另一方面,半导体
【机 构】
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南京大学电子科学与工程学院和南京微结构国家实验室,南京,210093
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ZnO基半导体优越的光电性能使之成为发展紫外半导体光电器件的优选材料,但目前ZnO薄膜中高质量p型掺杂实现的困难使其光电器件的应用步履维艰,进展缓慢。另一方面,半导体异质结构的制备也是研制半导体光电器件的核心和关键,因此研究和发展ZnMgO/ZnO异质结构已成为目前ZnO基半导体研究的重要前沿。与氮化镓基半导体异质结构类似,ZnO基半导体异质结构中存在的自发极化和压电极化导致异质界面存在较大的极化场,该极化场的存在将在异质界面感应产生高浓度具有较高迁移率的二维电子气。
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