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由于具有导电导热性好、力学强度高、长径比大、结构稳定等特点,碳纳米管被认为是很有前途的电子发射材料,其电子发射特性已被广泛地关注和研究.但之前的研究主要局限于碳纳米管尖端的场发射特性,碳纳米管侧壁的电子发射现象却很少关注.我们在扫描电子显微镜中原位研究了单根碳纳米管在内电场驱动下的侧壁电子发射现象,发现只需给碳纳米管两端施加约2-3 V的电压(相当于约106 V/m的内电场)电子就能从其侧壁发射出来,且发射电流随所施加电压指数增加.