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该文重点讨论KG50A高频晶闸管的快中子辐照效应,并和金扩散、电子及60Co-γ辐照器件进行了比较。结果表明,快中子辐照器件的正向压降和关断时间的协调可与扩金器件相媲美,漏电流与电子和γ辐照器件不相上下,远比扩金器件的小。该文还提供了快中子辐照在硅中产生的深能级,并确定了控制少子寿命的主要能级为Ec-0.44eV。(本刊录)