肖特基二极管在HTRB试验中电损伤分析

来源 :四川省电子学会电子测量与仪器专委会第十八届电子测试与测量技术专题学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：mythology_leonie

【摘要】

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对肖特基二极管的设计原理、制造工艺、在高温反偏试验(HTRB,high temperature reverse bias)中形成热点从而导致损坏的机理进行分析,找出肖特基二极管进行HTRB试验时容易出现失效的原因.对肖特基二极管的HTRB试验有重要的指导意义.

【作者】

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【机构】

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贵州航天计量测试技术研究所,贵阳,550009

【出处】

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四川省电子学会电子测量与仪器专委会第十八届电子测试与测量技术专题学术年会

【发表日期】

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2017年3期

【关键词】

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