芯片级抗扰度测试方法的研究与比较

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【摘要】

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介绍了两种的IC(芯片)级的抗扰度测试方法:Powered-ESD(上电的静电放电)和Langer-EFr(电快速瞬变脉冲群)。在实际应用中,某IC在系统级EFT测试中表现出比系统级ESD(静电放电)

【作者】

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杜飞柴竹青高攸纲

【机构】

：

北京邮电大学电子工程学院;

【发表日期】

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2004年期

【关键词】

：

电磁兼容抗扰度测试 Powered-ESD Langer-EFT

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介绍了两种的IC(芯片)级的抗扰度测试方法:Powered-ESD(上电的静电放电)和Langer-EFr(电快速瞬变脉冲群)。在实际应用中,某IC在系统级EFT测试中表现出比系统级ESD(静电放电)差的抗扰性能。在对该IC进行Langer-EFT和Powered-ESD测试,也表现出类似的抗扰性能。然后按照EMI(电磁干扰)的三要素,从三个方面对两种测试方法进行了分析比较。从干扰源方面基本上解释了实际测量中所观察到的现象,并对两种测试方法的耦合路径进行了比较,为IC的ESD保护电路设计及测量提供了参考。

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