【摘 要】
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目前多数研究人员主要从电路分析角度研究CMOS器件闩锁效应，缺乏对该失效现象触发机理的研究。针对该现状，从半导体器件物理的角度通过选取相应PNPN模型，分析临近雪崩击穿(n
【机 构】
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重庆邮电大学光电学院,重庆 400065 模拟集成电路重点实验室,重庆 400060
【出 处】
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第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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目前多数研究人员主要从电路分析角度研究CMOS器件闩锁效应，缺乏对该失效现象触发机理的研究。针对该现状，从半导体器件物理的角度通过选取相应PNPN模型，分析临近雪崩击穿(near-avalanche breakdown)效应和负阻击穿(snapbackbreakdown)效应，研究其触发机理，给出设计和工艺解决该失效的方法。
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