【摘 要】
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针对一种雪崩晶体管Marx电路,基于PSpice仿真软件,详细分析了电容充放电时各个参量的变化过程,为脉冲源设计中元器件参数的选取提供了依据。在电路板设计中发现紧凑排布设计
【机 构】
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军械工程学院静电与电磁防护研究所,石家庄,050003武警工程大学装备工程学院,西安,710086
【出 处】
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中国物理学会第十九届全国静电学术会议
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针对一种雪崩晶体管Marx电路,基于PSpice仿真软件,详细分析了电容充放电时各个参量的变化过程,为脉冲源设计中元器件参数的选取提供了依据。在电路板设计中发现紧凑排布设计和加屏蔽壳体可改善脉冲波形。本文作者经过多次试验尝试,相继研制了3级、10级、20级脉冲源。可得到幅度200V～5000V,快沿4ns以内,脉宽4ns～100ns的负脉冲。对利用典型脉冲通过同轴电缆注入瞬态抑制二极管后的干扰脉冲进行了对比分析,由于脉冲源的下降沿快于瞬态抑制二极管的响应时间,脉冲不能完全被抑制,干扰脉冲会对瞬态抑制二极管后的电子系统造成干扰。而且脉冲峰值越高,经过瞬态抑制二极管后的干扰脉冲峰值越高。
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