铌酸锂晶体具有优良的电光、声光、压电、光折变等性能,这使它在声倍频转换、表面滤波器、电光调制器、全息存储器、光波导等方面被广泛应用。全息存储被认为是下一代光学存储技术之一^【1】,但是缺少一种理想的材料作为存储介质使其商业化。光折变全息存储广泛使用的掺铁铌酸锂晶体存在诸如光挥发性和慢响应等缺点。虽然铁锰双掺铌酸锂晶体可以实现非挥发存储^【2】,但慢响应仍然没有得到解决。改良和优化铌酸锂晶体的体全息存储性能,提高响应速度仍是当前体全息存储研究的重要任务之一。铌酸锂晶体光折变效应响应速度的提高,将有助于铌酸锂晶体在很多方面的应用,如三维全息显示。我们采用全息法测量了锆铁双掺铌酸锂晶体在脉冲激光下的光折变性能。实验通过对1064nm波长的脉冲激光进行倍频,实现532 nm的脉冲激光输出,脉宽为8 ns,进行全息实验,另引入一束671 nm波长的连续激光作为监测光。实验测得锆铁双掺铌酸锂晶体在波长为532 nm的纳秒单脉冲激光下,其光折变效应响应时间可以达到毫秒量级。