【摘 要】
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文章研究了MOCVD系统中影响AlN生长速率的机制.我们通过在位监控曲线控制生长过程,改变了不同的生长条件,得到了AlN生长速率与生长温度、反应室压力、NH3流量、TMAl流量等生
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,北京,100083
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文章研究了MOCVD系统中影响AlN生长速率的机制.我们通过在位监控曲线控制生长过程,改变了不同的生长条件,得到了AlN生长速率与生长温度、反应室压力、NH3流量、TMAl流量等生长参数的关系.实验发现,AlN生长速率与生长温度、反应室压力、NH3流量等参数之间表现出反常的依赖关系.我们认为,MOCVD系统中存在Al原子的寄生反应,导致了反常现象的发生.AlN生长速率与TMAl流量的关系进一步证明了这一点.实验结果表明,较低的生长温度、较小的反应室压力能够有效地提高AlN生长速率,同时也将有利于提高AlGaN材料中的Al组分.
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