【摘 要】
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本文研究并分析了Nd2O3掺杂对SnO2压敏电阻电学非线性特性的影响.研究发现适量的Nd3+对Sn4+的取代能明显提高压敏电阻的压敏电场和非线性系数.掺杂0.50 mol％Nd2O3的陶瓷样品具
【机 构】
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山东大学物理学院 晶体材料国家重点实验室 山东济南 250100
【出 处】
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中国电子学会第十五届电子元件学术年会
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本文研究并分析了Nd2O3掺杂对SnO2压敏电阻电学非线性特性的影响.研究发现适量的Nd3+对Sn4+的取代能明显提高压敏电阻的压敏电场和非线性系数.掺杂0.50 mol％Nd2O3的陶瓷样品具有最高的非线性系数(α=35)和高的压敏电场(Ea=865V/mm).晶粒尺寸随着Nd3+掺杂量的增加而减小,同时压敏电场的升高归因于品粒尺寸的减小,替代Sn的受主Nd3+离子应处于间界上.
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