【摘 要】
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本文研究了Ba6GaTa9O30和Ba4Ta10O29两种TTB材料的结构和介电性能.我们通过高温固相法制备得到Ba6GaTa9O30和Ba4Ta10O29,利用Topas软件对Ba6GaTa9O30材料的同步辐射X射线衍射数据和中子衍射数据进行联合精修分析,确定Ga和Ta无序分布在两个M位置上,且Ga(1)和Ga(2)的占有率均为～0.1.实验室X射线衍射数据的Rietveld精修确定了Ba4T
【机 构】
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中山大学化学与化学工程学院,广州市新港西路135号,510275 中山大学化学与化学工程学院,广州
【出 处】
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第十三届固态化学与无机合成学术会议
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本文研究了Ba6GaTa9O30和Ba4Ta10O29两种TTB材料的结构和介电性能.我们通过高温固相法制备得到Ba6GaTa9O30和Ba4Ta10O29,利用Topas软件对Ba6GaTa9O30材料的同步辐射X射线衍射数据和中子衍射数据进行联合精修分析,确定Ga和Ta无序分布在两个M位置上,且Ga(1)和Ga(2)的占有率均为～0.1.实验室X射线衍射数据的Rietveld精修确定了Ba4Ta10O29的缺陷结构,其四元环中含有～15％的Ba2+,五元环中含有～2％Ba2+空位.变温XRD数据分析和不同温度下的介电常数分析都表明Ba4Ta10O29在～550K可能存在无心P4bm到有心P4/mbm的相变.
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