论文部分内容阅读
为了对新型高功率速调管进行测试，研制了450kV高压脉冲调制器。对调制器的充电电路、脉冲变压器、人工线和控制系统等主要组成部分的设计和计算方法作了介绍。测试结果表明，系统输出特性达到设计要求。该设备达到国内同类仪器最高指标。
450kV高功率速调管调制器的研制
【摘 要】
：
为了对新型高功率速调管进行测试，研制了450kV高压脉冲调制器。对调制器的充电电路、脉冲变压器、人工线和控制系统等主要组成部分的设计和计算方法作了介绍。测试结果表明，系
【机 构】
：
中国科学院电子学研究所,中国科学院高功率微波源与技术重点实验室,北京 100190
【出 处】
：
中国电子学会真空电子学分会第十七届学术年会暨军用微波管研讨会
【发表日期】
：
2009年期
其他文献
采用单粒子模型，对横向尺寸有限的带状电子注在PCM、带偏移磁极的PCM以及PCM—PQM磁场结构中的双平面聚焦与传输进行了详细的理论与数值分析研究。结果表明，PCM和带偏移磁极的P
永磁聚焦系统是微波管的重要组成部分，用外加磁场力得到一个性能优良，传输稳定的电子注，保证高频电磁场与电子注进行有效的能量交换，以达到微波放大的目的。本文介绍永磁体磁场精
介绍了通过介质溅钛，解决微波大功率输出窗介质片，在使用中存在的二次电子倍增效应和窗表面的电荷积累的问题，以及一种陶瓷窗片实现溅钛的过程。
本文论述了造成微波输出窗损坏的各种因素，指出了二次电子的倍增效应是输出窗损坏的主要原因。在抑制二次电子发射的措施中，详细介绍了氮化钛薄膜的性能、以及磁控溅射敷膜工艺
本文通过对实验过程中炸裂的S波段盒型输出窗观察和X射线光电子能谱(XPS)检测，结合软件对窗内电场分布模拟，探讨高平均功率输出窗电击穿的物理原因。结果表明，窗片表面沉积的有
会议
本文从传统的调谐机构结构设计出发，分析了该结构在多频使用条件时的局限性，提出了解决措施。通过结构分析及计算模拟，可达到多频调谐的使用要求，说明了多频调谐机构的可行性。
她,1949年出生于美国新泽西州的一个书香门第。父亲是一家制药公司的主管,喜欢弹钢琴,母亲是一名艺术家,喜欢演唱。在良好家庭环境的熏陶下,她从小就显露出强烈的表现欲和良
对于速调管的实际制管，谐振腔作为一个关键部件，保持钎焊之前和钎焊之后的冷测结果一致对于速调管的研制至关重要。本文以一个X波段圆柱形同轴谐振腔中的高次模TM310为例，通过理
通过对双间隙耦合腔中的高次模式的场形分布和电子电导、特性阻抗等参数的分析，给出了双间隙腔中的自激振荡模式并与模拟结果和热测结果进行了比较，最后对热测结果给出的杂谱进