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采用定点激光反射热循环测量基片上薄膜应力的方法，测量了硅片（１００）上四种厚度（０．２４μｍ，０．５３μｍ，１．２８μｍ，３．４２μｍ）磁控溅射纯铜膜应力随温度（２０℃－３００℃）的变化，发现沉积膜中的残余应力为张应力且与膜厚成正比；而压屈服度与膜厚的导数成正比；热循环后膜中的张应力和晶粒度的均明显增加。