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该文讨论了Φ３００ｍｍ硅单晶生长中新问题，分析了热对流、热场、拉晶工艺以及设备控制对晶体生长的影响，磁场条件和设备稳定控制是Φ３００ｍｍ硅单晶生长的基本条件，热场配置和拉晶工艺是控制大直径单晶的关键。
Φ300mm硅单晶生长工艺研究
【摘 要】
：
该文讨论了Φ３００ｍｍ硅单晶生长中新问题，分析了热对流、热场、拉晶工艺以及设备控制对晶体生长的影响，磁场条件和设备稳定控制是Φ３００ｍｍ硅单晶生长的基本条件，热场配置和拉晶工艺是控制大直
【机 构】
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有色金属研究总院半导体中心北京有色金属研究总院半导体中心
【出 处】
：
第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
：
1999年期
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