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十八烷胺在铁表面的成膜研究

来源 :'2000国际表面工程与防腐蚀技术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：cexo0924

【摘 要】

：

用交流阻抗、阴极充电曲线、俄歇能谱研究了十八胺在铁表面的成膜，结果表明十八胺渗透到氧化铁层进行成膜，使是极表面的阻抗值增大，提高了电极的耐蚀性， ODA处理深度为25mg/L的电

【作 者】

：

葛红花 廖强强 周国定 吴文权 

【机 构】

：

上海理工大学动力学院,上海电力学院电化学研究室

【出 处】

：

'2000国际表面工程与防腐蚀技术研讨会

【发表日期】

：

2000年期

【关键词】

：

十八烷胺 表面 氧化铁层 十八胺 耐蚀性 膜电极 成膜 浓度 交流阻抗 俄歇能谱 处理深度 充电曲线 阻抗值 阴极 渗透 结构 

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论文部分内容阅读

用交流阻抗、阴极充电曲线、俄歇能谱研究了十八胺在铁表面的成膜，结果表明十八胺渗透到氧化铁层进行成膜，使是极表面的阻抗值增大，提高了电极的耐蚀性， ODA处理深度为25mg/L的电极具有最佳的耐蚀性。成膜电极的结构为： ODA浓度较低时：铁｜氧化铁层｜含ODA的氧化铁层，ODA浓度较高时：铁｜氧化铁层｜含ODA的氧化铁层｜ODA层。

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