【摘 要】
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本文采用共蒸发法制备了Cu-Sn-S三元化合物和CZTS四元化合物.用X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪、扫描电镜(SEM)对样品进行了分析和表征,研究了相关体系的反应机理.研究表明,在
【机 构】
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南开大学 光电子薄膜器件与技术研究所 300071
【出 处】
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第十四届中国光伏大会暨2014中国国际光伏展览会
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本文采用共蒸发法制备了Cu-Sn-S三元化合物和CZTS四元化合物.用X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪、扫描电镜(SEM)对样品进行了分析和表征,研究了相关体系的反应机理.研究表明,在衬底温度为400℃时,S压较高时主要生成Cu2SnS3相,S压不足时,主要生成Cu3SnS4相.在S压充足的情况下,衬底温度不高于400℃时,薄膜中主要是Cu2SnS3相,衬底温度高于450℃时,薄膜中主要是Cu3SnS4相.在Cu-Zn-Sn-S四元体系中,首先生成ZnS,其次生成SnS和CuS,SnS会直接与CuS和ZnS反应生成CZTS,或者迅速的与CuS反应生成Cu2SnS3,再与ZnS反应,生成CZTS.
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