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多元光伏半导体中高浓度缺陷簇的第一性原理计算预测
【机 构】
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华东师范大学极化材料与器件教育部重点实验室,上海,200241
【出 处】
:
第二十届全国半导体物理学术会议
【发表日期】
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2015年7期
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