赝二元合金(Ga2Te3)x-(AgSbTe2)1-x(x=0～0.2)的制备、微结构和热电性能

来源 :二〇〇八全国功能材料科技与产业高层论坛 | 被引量 : 0次 | 上传用户：nive123nive

【摘要】

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本文采用放电等离子烧结技术(SPS)制备了赝二元合金(Ga2Te3)x-(AgSbTe2)1-x(x=0～0.2),并研究了其微结构和热电性能。结果表明,采用适量的Ga2Te3替换AgSbTe2后,材料内部出现了

【作者】

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陈东勇应鹏展于磊崔教林陈达

【机构】

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中国矿业大学,材料科学与工程学院,江苏,徐州,221116

【出处】

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二〇〇八全国功能材料科技与产业高层论坛

【发表日期】

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2008年期

【关键词】

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二元合金微结构放电等离子烧结技术赝两元合金样品热电性能摩尔分数多相组织未掺杂热导率电导率系数替换材料

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本文采用放电等离子烧结技术(SPS)制备了赝二元合金(Ga2Te3)x-(AgSbTe2)1-x(x=0～0.2),并研究了其微结构和热电性能。结果表明,采用适量的Ga2Te3替换AgSbTe2后,材料内部出现了多相组织，赝两元合金的Seebeck系数明显高于未掺杂的参照样品AgSbTe2，电导率和热导率则低于AgSbTe2.在375K时,摩尔分数为0.1的合金的最大ZT值达到0.31,比三元样品AgSbTe2约高0.1。

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