【摘 要】
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本文用直流磁控溅射法在相对较低温度220 ℃下制备出电阻温度系数(TCR)为-1.9％/℃的VOx薄膜.通过XRD、AFM、红外透过测试方法对薄膜的形貌、组分及其红外吸收性能进行分析,结
【机 构】
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华中科技大学,光电子科学与工程学院,湖北,武汉,430074
【出 处】
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2007年红外探测器及其在系统中的应用学术交流会
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本文用直流磁控溅射法在相对较低温度220 ℃下制备出电阻温度系数(TCR)为-1.9％/℃的VOx薄膜.通过XRD、AFM、红外透过测试方法对薄膜的形貌、组分及其红外吸收性能进行分析,结果表明该VOx薄膜非常适合用作非制冷红外探测器热敏材料.与传统的工艺相比,由于该薄膜淀积过程无需高温退火,在后期的红外焦平面制作过程中,可以较好地保护红外焦平面阵列的CMOS电路.
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