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该文介绍了GaAsMESFET模型中常用的数值模型和参数提取等方法，并讨论了它们各自的特点和局限。指出：虽然数值模型详细模拟了载流子的输运过程，但由于人们对GaAs中许多物理参数的了解还很肤浅，难以获得令人满意的精度。同时由于其计算繁复，难以用于电路分析和设计。分析模型虽然清晰、直观，但由于包含大量未知参数，还需求助于数值模型或参数得取。最后我们介绍一种提取能反映高频特性的GaAsMESFET芯片模型的方法。（本刊录）