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窄禁带碲镉汞为电子和空穴混合导电的多载流子体系材料。两个温度点的霍尔测试并不能很好的表征碲镉汞材料的性质。本文先通过变温变磁场霍尔测试对两种长波碲镉汞材料的进行变温霍尔测试，并且在此基础上对两种材料的低温响应进行了研究。结果表明，两种不同霍尔表现的碲镉汞材料在低温下的表现也不尽相同。相对于n型材料，弱p型材料的电压响应随温度升高迅速下降。