【摘 要】
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因具有优良的光电特性,二元砷化物一直是半导体材料研究的热点.我们利用多体格林函数方法(包括GW方法和Bethe-Salpeter方程)对二元砷化物GaAs、InAs和BAs晶体的准粒子能
【机 构】
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山东大学化学与化工学院,山东济南市山大南路27号
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因具有优良的光电特性,二元砷化物一直是半导体材料研究的热点.我们利用多体格林函数方法(包括GW方法和Bethe-Salpeter方程)对二元砷化物GaAs、InAs和BAs晶体的准粒子能带结构和光激发特性进行了研究.GaAs和InAs都是直隙材料,理论计算的GaAs的带隙和光吸收谱与实验值[1,2]都符合很好.InAs 的实验带隙为0.42eV[3],DFT-LDA 计算带隙值为0.如果在GW计算中只考虑自能算符的对角矩阵元,则GW计算出现了极为特殊的负隙现象；如果考虑自能算符非对角矩阵元的贡献,则可以得到与实验符合很好的带隙值.这主要是由于LDA 计算的导带底的波函数存在较大的误差.BAs的带隙一直存在争论,目前仍不能确定其是直隙还是间隙以及带隙大小[4].我们的计算表明BAs是间接带隙材料,带隙值与实验值[5]一致.
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