【摘 要】
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本研究采用磁控溅射方法在单晶Si基底(100)上淀积了ZnO薄膜,XRD和AFM分析表明淀积的ZnO薄膜具有良好的c轴取向性和表面平整度,晶体颗粒尺寸为30nm～50nm.经过纯氧中高温退火,Zn
【机 构】
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电子科技大学,光电信息学院,四川,成都,610054
【出 处】
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第九届全国敏感元件与传感器学术会议
论文部分内容阅读
本研究采用磁控溅射方法在单晶Si基底(100)上淀积了ZnO薄膜,XRD和AFM分析表明淀积的ZnO薄膜具有良好的c轴取向性和表面平整度,晶体颗粒尺寸为30nm～50nm.经过纯氧中高温退火,ZnO薄膜的电阻率提高到107Ω·cm.这些结果表明磁控溅射法淀积的ZnO薄膜能够满足声表面波(SAW)的器件的需要.
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