【摘 要】
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氮化镓(GaN)以其优异的物理化学性质和光电特性在高温、高压和高频器件等电子领域有着广泛的应用.国内外GaN纳米材料的生长方法主要包括金属有机化学气相沉积(MOCVD)、分子束
【机 构】
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华南理工大学材料科学与工程学院,广州,510641
【出 处】
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
论文部分内容阅读
氮化镓(GaN)以其优异的物理化学性质和光电特性在高温、高压和高频器件等电子领域有着广泛的应用.国内外GaN纳米材料的生长方法主要包括金属有机化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)、化学气相沉积(CVD)等方法.本文利用CVD法,以硅片为衬底,NH3、GaCl3为反应源,Ar作为载气,在无催化剂条件下制备得到了GaN纳米材料.系统地研究了实验参数(包括氨气流量、衬底温度及源基距)对GaN纳米材料形貌、结构和性能的影响,以实现GaN纳米材料形貌的可控.
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