【摘 要】
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利用磁控溅射方法沉积双势垒磁性隧道结多层膜,其中Al-O势垒层由等离子体氧化1nm厚的金属铝膜方式制备,然后采用紫外曝光和Ar离子刻蚀技术、微加工制备出长短轴分别为6μm和3
【机 构】
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中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室(北京)
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利用磁控溅射方法沉积双势垒磁性隧道结多层膜,其中Al-O势垒层由等离子体氧化1nm厚的金属铝膜方式制备,然后采用紫外曝光和Ar离子刻蚀技术、微加工制备出长短轴分别为6μm和3μm大小的椭圆形双势垒磁性隧道结(DBMTJ),并在室温和低温下对其自旋电子输运特性进行了研究.双势垒磁性隧道结的隧穿磁电阻(TMR)比值在室温下和10K时分别达到29.4﹪和41.9﹪,结电阻(R<,s>)分别为12.7kΩ·μm<2>和14.2kΩ·μm<2>,并在实验中观察到平行状态下存在低电阻态及共振隧穿效应,反平行状态下呈现高电阻态以及磁电阻随外加直流偏压(电流)的增加而振荡的现象.由此,我们设计了一种基于这种双势垒磁性隧道结隧穿特性的自旋晶体管.
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