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本文采用改进的坩埚下降法生长高质量不同浓度Dy掺杂BSO透明晶体，研究了掺杂浓度对晶体闪烁性能的影响。所有生长晶体可见光区透过率达到80％左右，与纯BSO晶体相比，吸收边发生细微红移。
Dy掺杂Bi4Si3O12晶体闪烁性能研究
【摘 要】
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本文采用改进的坩埚下降法生长高质量不同浓度Dy掺杂BSO透明晶体，研究了掺杂浓度对晶体闪烁性能的影响。所有生长晶体可见光区透过率达到80％左右，与纯BSO晶体相比，吸收边发生
【机 构】
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上海应用技术学院材料科学与工程学院晶体生长研究所
【出 处】
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第17届全国晶体生长与材料学术会议
【发表日期】
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2015年期
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