【摘 要】
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近年来,由于碳纳米管独特的结构和良好的电学性质而引起了广泛的关注。最近在研究中发现了在单壁碳纳米管中的缺陷结构,虽然目前对这种缺陷结构已有一些初步的理论计算,但缺乏系统研究,并且还有一些尚待解决的问题。在碳纳米管中,有几类缺陷结构,比如空位缺陷、增加原子缺陷以及Stone-Wales 缺陷等。这些缺陷会对单壁碳纳米管的物理和化学性质产生重要的影响。空位缺陷是这三种缺陷中最复杂的一种,空位缺陷通常会
【机 构】
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宁夏大学化学化工学院,能源化工重点实验室,宁夏银川,750021
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近年来,由于碳纳米管独特的结构和良好的电学性质而引起了广泛的关注。最近在研究中发现了在单壁碳纳米管中的缺陷结构,虽然目前对这种缺陷结构已有一些初步的理论计算,但缺乏系统研究,并且还有一些尚待解决的问题。在碳纳米管中,有几类缺陷结构,比如空位缺陷、增加原子缺陷以及Stone-Wales 缺陷等。这些缺陷会对单壁碳纳米管的物理和化学性质产生重要的影响。空位缺陷是这三种缺陷中最复杂的一种,空位缺陷通常会有三个悬垂建产生。我们考虑了如图所示的(10,0)碳管四种不同构型的空位缺陷。使用基于密度泛函理论的自洽场晶体轨道法对其进行了计算。重点关注不同缺陷的进入对于碳管的电子性质、力学性能和载流子输运性质的影响。
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