【摘 要】
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As a promising wide-band-gap semiconductor with a large exeiton binding energy, ZnO has absorbed a great deal of attention for its potential application in
【机 构】
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南昌航空大学/中国科学院物理研究所330063
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As a promising wide-band-gap semiconductor with a large exeiton binding energy, ZnO has absorbed a great deal of attention for its potential application in short-wavelength light-emitting devices, solar cells and displays with transparent conductors.Nowadays, in order to realize its industrial application, the studies on p-type doping and band-gap engineering are focused.Especially for the latter, it is expected that the band gap of ZnO can be continuously adjusted from 3.3 eV to 7.8 eV by doping MgO.
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