【摘 要】
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本文利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和荧光(PL)光谱研究了利用MOCVD在Ge衬底上生长的GaInP外延层的结构和光学性质.HRTEM图像结果表明没有任何结构缺陷存在.实验中发现,相对于未掺杂结构,Si掺杂导致了GaInP结构从有序到无序的转变,并进而带来了带内和近带边发光特性的显著差异.在掺杂材料中,同时观察到了GaInP有序和无序结构的发光,而在未掺杂材料中只观察到了有序结构的发光.我
【机 构】
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中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州215123 中国科学院福建物质结构研究所,福州352
【出 处】
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第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会
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本文利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和荧光(PL)光谱研究了利用MOCVD在Ge衬底上生长的GaInP外延层的结构和光学性质.HRTEM图像结果表明没有任何结构缺陷存在.实验中发现,相对于未掺杂结构,Si掺杂导致了GaInP结构从有序到无序的转变,并进而带来了带内和近带边发光特性的显著差异.在掺杂材料中,同时观察到了GaInP有序和无序结构的发光,而在未掺杂材料中只观察到了有序结构的发光.我们认为与Si掺杂所导致Ga原子和In原子的扩散系数不同有关,而且有序结构和低于有序结构的发光强度转变过程造成了通常观察到的反常的发光温度依赖关系.时间分辨PL测试发现发光的复合寿命随发光峰的能量降低而增加,证明了强烈的局域态存在.对掺杂样品,发光峰能量在1.4eV处的带内发光强度显著增强,而且随温度升高向高能方向移动,而对未掺杂样品,只在高温下才能观察到此宽峰的发光.我们认为是Ge-GaInP界面缺陷态的发光和Si掺杂引起的缺陷态的发光机制之间的相互作用所引起的.
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