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介绍一种全部由PMOS休眠管实现的双阈值电压多米诺逻辑电路．使用这种电路设计技术，可以同时减小多米诺逻辑电路中的亚阈值漏电流和栅氧化层漏电流，与带有NMOS休眠管的双阈值电压多米诺逻辑电路比较，可以改善电路性能和功耗．
基于深亚微米工艺的多米诺逻辑电路设计
【摘 要】
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介绍一种全部由PMOS休眠管实现的双阈值电压多米诺逻辑电路．使用这种电路设计技术，可以同时减小多米诺逻辑电路中的亚阈值漏电流和栅氧化层漏电流，与带有NMOS休眠管的双阈值电压多米诺逻辑电路比较，可以改善电路性能和功耗．
【机 构】
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北方工业大学信息工程学院,微电子中心,北京 100041
【出 处】
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第十四届全国青年通信学术会议
【发表日期】
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2009年1期
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