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为了增加光吸收效率,设计制作了一种具有发射和透射膜层结构的新型GaAs光导开关。在1064nm激光触发能量5.4mJ,光脉宽25ns、偏置电压6kV条件下,光导开关的导通电阻仅有0.49Ω。为了增大单只光导开关导通电流,进一步设计制作了一种叉指电极结构的GaAs光导开关,在偏置电压2kV条件下,开关导通电阻降低至0.35Ω。新型开关结构设计进一步提高了GaAs光导开关的寿命。