【摘 要】
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F等离子体刻蚀在AlGaN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管(HEMT)栅场板结构的栅槽刻蚀工艺中广泛采用,F等离子的栅槽过刻蚀时间对HEMTs特性的影响值得关注。实验对比了SiN棚
【机 构】
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The School of Microelectronics, Xidian University, Xi'an, 710071,China
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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F等离子体刻蚀在AlGaN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管(HEMT)栅场板结构的栅槽刻蚀工艺中广泛采用,F等离子的栅槽过刻蚀时间对HEMTs特性的影响值得关注。实验对比了SiN棚槽刻蚀工艺中三种不同的过刻蚀时间对器件最大饱和电流、跨导峰值、阈值电压、肖特基势垒高度和理想因子的影响,随着过刻蚀时间的增加,饱和电流下降,峰值跨导下降,阈值电压有较小正向移动,通过对不同过刻蚀时间器件肖特基特性分析发现,采用一定的F等离子体过刻蚀能减小棚反向泄漏电流并提高器件击穿电压,但较长的过刻蚀时间栅反向泄漏电流并未继续减小,并且使肖特基理想因子略有增大,器件击穿电压下降。
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