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掺杂是调控半导体性能的重要手段,然而对于纳米结构的掺杂一直是一个难题,是制约纳米结构应用的主要问题。在本实验中,通过原位化学气相沉积方法,成功制备了Sn掺杂ZnO纳米线及纳米带。通过对其形貌、微结构研究发现,随着掺杂计量的提高,掺杂ZnO逐渐从纳米梳过度到纳米线网状结构,掺杂比例进一步提高,又转变为带有平面缺陷的纳米带结构。对掺杂纳米结构做光致发光测试发现,微量掺杂时,可见光波段绿光发射明显增强,而掺杂量大时,绿光发射强度又降低。通过高分辨透射电镜对纳米线微结构的研究发现,掺杂纳米线内部缺陷对光致发光性能有重要影响;Sn以点缺陷形式存在时,可增强绿光的发射,而当掺杂量大时,平面缺陷的形成抑制了绿光发射。