【摘 要】
：
本文利用半导体工艺及器件仿真工具TCAD 软件的工艺仿真模块模拟了单晶硅电池制造过程中的扩散和热氧化过程,得到了与测试结果相一致的掺杂分布曲线.在工艺仿真基础上,利用TC
【机 构】
：
中国科学院半导体研究所 ,北京 100083
【出 处】
：
第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)
论文部分内容阅读
本文利用半导体工艺及器件仿真工具TCAD 软件的工艺仿真模块模拟了单晶硅电池制造过程中的扩散和热氧化过程,得到了与测试结果相一致的掺杂分布曲线.在工艺仿真基础上,利用TCAD 软件的器件仿真模块计算了电池的转换效率,发现通过降低扩散温度以及在扩散之后加入热氧化工艺可以减小发射极表面附近的掺杂,从而减小发射极复合以及表面复合,而且热氧化还可以减少发射极方阻,如果电池接触电阻增加较小的话,上述工艺可以提高转换效率.
其他文献
采用RF-PECVD 技术在低温、高沉积压力的条件下制备微晶硅薄膜材料.通过调节氢稀释度、电极间距、沉积压力、衬底温度等参数,优化微晶硅薄膜材料.研究射频功率对微晶硅薄膜材
本文利用RF-PECVD 技术制备本征氢化微晶硅(μc-Si:H)材料,通过改变射频功率、沉积压强和衬底温度等主要工艺参数对材料的电学和微结构性能进行了初步研究,并将上述参数进行
对于硅基太阳能电池来说,可以通过一些技术来达到高的转换效率.这其中包括金属穿孔卷绕技术(Metallization Wrap Through, 简称MWT),通过将位于正面发射极的接触电极穿过硅片
疯子·锰 半个世纪前,日本一偏僻小村两个月内连续有16人发疯。这些患者情绪紊乱,时哭时笑,四肢僵硬,易于跌倒。现场调查发现,此村用过的废干电池都抛入了水井旁的垃圾坑里,
准单晶是外观和电性能均类似单晶的多晶硅片.由于其转换效率高于普通多晶,而且光致衰减效应与比单晶弱很多,成本也具有一定的优势,是一种很有前景的电池原材料.准单晶硅片的