论文部分内容阅读
本文对带电粒子的沟道效应研究正在逐步深入.背散射/沟道分析是判定材料结晶品质优劣的重要手段,应用范围由金属推广到半导体、光电材料等薄膜样品,用沟道分析首次得到高结晶品质的GaN的Xmin=1.17％(1),GaN及InGaN的晶格常数及In对Ga的替位率;用沟道离子注入合成了其他研制方法很难形成的高结晶品质的二元和三元稀土硅化物ErSi1.7(2)、GdSi1.7、 YSi1.7(3)、NdYSi1.7、CoYSi17、ErGdSi1.7(4);高能带电粒子在晶体沟道中运动时产生的辐射将成为新型γ光源,以上研究使人们对带电粒子的沟道行为研究水平得到提升.