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定向碳纳米管阵列的可控制备是其在诸多领域深入研究和推广应用的基础。本文借助化学气相沉积系统，以负载有图形化催化剂的硅片为基底，采用乙烯为碳源气体，通过调节并优化碳源浓度、生长温度和生长时间等工艺过程参数，系统研究了碳源输送时间即碳纳米管阵列生长时间(1min-30min范围)和生长温度(600℃-900℃范围)对碳纳米管阵列结构的影响规律，得到定向碳纳米管图形化生长所处不同阶段的阵列结构，如图1所示，分别为卷曲状、圆筒状和圆柱状的多壁碳纳米管阵列的SEM图。