实验上，人们不断发现，在室温下对不含任何磁性元素的有机半导体器件施加一个弱的外磁场(<1OOmT)，器件电阻将发生明显改变(10％～20％)。他们把这种弱磁场、强响应的磁场效应定义为有机磁电阻(OMAR)效应。目前对其物理机制的理论解释尚未达成一致。有人认为是自旋相关的塞曼相互作用重要，有人认为是电荷相关的洛伦兹相互作用重要。还有人认为氢核的超精细相互作用是产生有机磁电阻的根本原因。我们基于有机小分子晶体的Troisi-Orlandi模型，同时考虑电子自旋与外磁场之间的塞曼相互作用以及电子自旋与氢核自旋之间的超精细相互作用，探讨了有机小分子中的极化子迁移率在外磁场作用下的相对变化，给出了有机磁电阻曲线，并与实验结果进行了比较。同时，我们还进一步考虑了偏压对有机小分子磁电阻的影响。发现，基于我们提出的理论机理，计算得到的结果能够与某些实验数据符合得很好，从而定量地解释了实验上测得的有机磁电阻效应以及有机磁电阻的偏压效应。