论文部分内容阅读
在HgMnTe中,Mn离子间的d-d磁性交换为长程型反铁磁交换[1,2].高温下Mn离子磁矩为随机自由的热涨落,彼此间的互相影响较弱,但低温下容易出现磁矩"冻结"或"失措"现象并形成反铁磁团簇或自旋玻璃态[3-8],并显著的改变其磁学特性.
Hg1-xMnxTe单晶的低温磁学性质研究
【摘 要】
：
在HgMnTe中,Mn离子间的d-d磁性交换为长程型反铁磁交换[1,2].高温下Mn离子磁矩为随机自由的热涨落,彼此间的互相影响较弱,但低温下容易出现磁矩"冻结"或"失措"现象并形成反铁
【机 构】
：
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083华东师范大学极化材料和器件教育部重点实验室,上海,200062中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,20008
【出 处】
：
第十九届全国半导体物理学术会议
【发表日期】
：
2013年7期
其他文献
半导体科学和技术构成现代信息社会的基础,随着信息存储密度迅猛增长,为突破Moor定律瓶颈需要发展新的信息存储载体1.在半导体中注入自旋,形成兼具电荷属性和自旋特性的稀磁
会议
强流离子源利用气体放电方式激发产生等离子体，是大功率中性束注入系统(NBI)的关键部件之一。强流离子源热阴极在工作过程中会出现模式的转变，是影响强流离子源稳定运行的
会议
非晶InGaZnO(IGZO)基薄膜晶体管(TFT)具有高的迁移率、高的光学透过率、低的制备温度和低成本等优点,因此在下一代平板显示中有着重要的应用.尽管a-IGZO TFT表现出了较好的器
会议
巨磁电阻的发现引领了硬盘数据存储和读写的革命,并导致了自旋电子学的诞生.为了满足未来的信息储存和处理技术对更快、更小、非易失的电子器件要求,人们提出了自旋场效应管
会议
引言托卡马克等离子体大破裂会导致等离子体能量瞬间消失,除了在器壁上产生巨大的热能和机械力以外,大破裂还会产生具有几十至上百兆电子伏特能量的逃逸电子,这些高能逃逸电
会议
In the past years, diluted magnetic semiconductors (DMSs) have received considerable attention for their potential applications in nonvolatile memory, optoelect
会议
磁性半导体是在传统的半导体中,通过掺杂3d磁性过渡族金属而同时具备半导体和铁磁性,是自旋电子学的重要材料之一.对于ZnO∶Co磁性半导体,已经有很多的文献报道.
会议
Correlated system-environment coherence occurs whenever quantum nature of environment cannot be neglected.This is a type of quantum entanglement, which is playi
会议
基于大尺寸Si衬底的GaN基高功率电子器件是目前宽禁带半导体研究领域的热点研发方向.但是,由于Si衬底与GaN之间存在着大的晶格失配和热失配,在Si衬底上很难异质外延生长高晶
会议
Finite frequency current noise and ac conductance of a single molecular junction coupled with phonon
In recent years, electron transport through single-molecule junctions with vibrational degrees of freedom (phonons) has attracted great research attention both
会议