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最近,缺陷诱导磁性受到越来越大的关注,而远离平衡态制备方法是产生大量缺陷的必要条件[1].本文采用一种新型的制备方法—脉冲喷雾蒸发化学气相沉积(PSE-CVD,[2])制备纯的SnO2薄膜,以研究缺陷对磁性能的影响.通过控制薄膜生长条件,制备了具有室温铁磁性的SnO2薄膜.其结果如图 1所示.