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从理论方面研究粗糙界面对FN隧穿电流的振荡效应的影响.数值模拟的结果表明:极值漂移随粗糙度的增加线性而增大,界面粗糙度对FN振荡的振幅影响较小.
SiO2/Si界面粗糙度对FN振荡电流的影响
【摘 要】
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从理论方面研究粗糙界面对FN隧穿电流的振荡效应的影响.数值模拟的结果表明:极值漂移随粗糙度的增加线性而增大,界面粗糙度对FN振荡的振幅影响较小.
【机 构】
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北京大学微电子所
【出 处】
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第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议
【发表日期】
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2001年期
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