【摘 要】
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氧化钛纳米结构的掺杂是改善半导体特性的有效方法。本文以TiNi合金作为基材,采用阳极氧化方法在醇基电解质液中成功地制备出Ni-Ti-O纳米管阵列。通过扫描电子显微镜(SEM),X射线衍射仪(XRD)和X射线光电子能谱仪(XPS)等分析方法对纳米管阵列的表面形貌、微结构和热稳定性进行了表征,研究了纳米管阵列的氢敏性能和抗干扰性。实验结果表明：采用醇基电解质液在TiNi合金表面可制备出大面积均匀生长的
【机 构】
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上海交通大学 材料科学与工程学院 微电子材料与技术研究所,上海 200240 中国科学院上海硅酸盐
【出 处】
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2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
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氧化钛纳米结构的掺杂是改善半导体特性的有效方法。本文以TiNi合金作为基材,采用阳极氧化方法在醇基电解质液中成功地制备出Ni-Ti-O纳米管阵列。通过扫描电子显微镜(SEM),X射线衍射仪(XRD)和X射线光电子能谱仪(XPS)等分析方法对纳米管阵列的表面形貌、微结构和热稳定性进行了表征,研究了纳米管阵列的氢敏性能和抗干扰性。实验结果表明：采用醇基电解质液在TiNi合金表面可制备出大面积均匀生长的Ni-Ti-O纳米管阵列,经525℃热处理后仍可保持规则阵列形貌。热处理后的Ni-Ti-O纳米管阵列在100℃对1000ppm氢气具有良好的氢敏响应特性,对相同浓度的N2和NO则无明显响应。
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