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SiC具有优异的材料特性,可以用来制造各种耐高温的高频、高效大功率器件[1].相对于衬底价格昂贵的SiC同质外延,Si基SiC异质外延在衬底价格及外延尺寸上面具有其独特的优势,同时Si基SiC异质外延材料还可以兼容于成熟的Si器件工艺[2].另外,Si基SiC还可作为衬底生长大尺寸GaN和石墨烯等先进半导体材料.