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基于电致电阻效应的电阻式随机存储器(RRAM)是新一代存储器的主要候选者,已引起了广泛关注.在众多的阻变材料中,铁酸铋(BiFeO3)作为目前唯一的室温多铁性材料,在多态信息存储器方面有着广泛的应用前景.
Ag/Bi0.95La0.05FeO3/Pt 器件中的电致电阻效应
【摘 要】
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基于电致电阻效应的电阻式随机存储器(RRAM)是新一代存储器的主要候选者,已引起了广泛关注.在众多的阻变材料中,铁酸铋(BiFeO3)作为目前唯一的室温多铁性材料,在多态信息存储器方面有着广泛的应用前景.
【机 构】
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中国科学院磁性材料与器件重点实验室,宁波材料技术与工程研究所,浙江 宁波,315201
【出 处】
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中国物理学会2012年秋季学术会议
【发表日期】
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2012年9期
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