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本课题通过运用低能离子轰击法对HOPG(0001)表面进行掺杂并运用超高真空扫描隧道显微镜(STM)对掺杂表面进行表征。在室温条件下使用氮离子源N+/N2+以250 eV 短时间(5s)轰击HOPG(0001)面,在HOPG(0001)面形成多样化点缺陷结构,而后以高温退火(1000 K)掺杂样品的方法获取稳定的点缺陷,并以超高真空扫描隧道显微镜观测点缺陷实空间结构及电子态密度信息。