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第三代碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面阵列技术正向大规模、集成化、多光谱、弱信号及三维成像方向发展.HgCdTe因其具有高吸收系数、空穴和电子的离化系数差异很大等特性,是制备高信噪比的雪崩器件(APD)的优选材料,可以实现红外目标辐射与激光信号的集成式主被动双模探测,具有良好的应用前景.本文报道了围绕雪崩碲镉汞红外焦平面探测器的应用需要,开展的相关碲镉汞分子束外延材料基础研究进展.