PIII-D方法合成氮掺杂碳基薄膜的表面特性

来源 :中国机械工程学会2008年机械装备结构材料与表面技术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:sheng285292970
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采用等离子浸没离子注入和沉积(PIII-D)方法在室温下合成了氮掺杂碳基薄膜。薄膜的厚度大约200 nm;采用路易斯酸碱对的方法深入研究了薄膜的表面能;用拉曼光谱和X射线光电子能谱分析了薄膜的成分和结构。结果表明:薄膜内氮的掺杂含量和sp2簇并不是随氮气流量增加而持续增加;带隙宽度与薄膜表面能中的酸碱分量比有较好的相关性。
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